Dioda: Razlika med redakcijama
Izbrisana vsebina Dodana vsebina
Brez povzetka urejanja |
m vrnitev sprememb uporabnika 193.2.42.2 (pogovor) na zadnje urejanje uporabnika Syum90 |
||
Vrstica 1:
[[Slika:Diode-photo.JPG|thumb|200px|right|Diode]]
'''
Osnova današnjih polprevodniških diod je stik dveh različno dopiranih plasti [[silicij]]a ali [[germanij]]a ( t.i. ''PN spoj''). Ena od plasti vsebuje presežek pozitivnih [[ion]]ov (p-tip polprevodnika), druga plast pa presežek [[elektron]]ov (n-tip polprevodnika). Debelina PN spoja se glede na velikost in smer pritisnjene električne napetosti lahko razširi ali zoža, kar ima za posledico poznano delovanje diode.
Vrstica 33:
=== Zaporna smer diode ===
Vendar v realnosti temu ni čisto tako. Pri zaporni priključitvi skozi diodo vseeno teče majhen tok, ki ga povzročijo generacije nosilcev naboja v zaporni plasti ter manjšinski nosilci naboja, ki difundirajo skozi zaporno plast. Oba tokova sta zelo majhna (razred nekaj nano in mikro amperov) in se s spremembo zaporno priključene napetosti le malo spreminjata. Oba toka običajno obravnavamo skupaj, pravimo pa jima tok nasičenja diode. Ta tok je nezaželen saj se spreminja s temperaturo (narašča eksponentno s višanjem temperature) in lahko vpliva na zanesljivost delovanje elektronskih vezij.
Vrstica 39:
=== Prevodna smer diode ===
=== Napetost kolena ===
|